1月17日，工業和信息化部發布關于組織開展2025年未來產業創新任務揭榜掛帥工作的通知。通知顯示，將面向量子科技(ji)、原子級制(zhi)造、清潔氫(qing)3個未來(lai)產業，布局一(yi)(yi)批核心基(ji)礎、重點產品、公共支撐(cheng)、示范應用創新任(ren)務，發掘培育(yu)一(yi)(yi)批掌握關鍵(jian)核心技(ji)術(shu)、具備較強創新能(neng)力的優(you)勢(shi)單位，突破(po)一(yi)(yi)批標志(zhi)性技(ji)術(shu)產品，加速新技(ji)術(shu)、新產品落(luo)地應用。

      其中在原子級制造揭榜掛帥任務榜單中涉及原子級超光滑金剛石表面制造、超硬金剛石團簇離子束原子級拋光裝備、大徑厚比金(jin)剛石光學窗(chuang)口等內容。

原子級制造揭榜掛帥任務榜單（金剛石相關部分）

      二、重點產品

      （一）多場輔助化學機械原子級拋光裝備

      揭(jie)榜任務：面向半(ban)導體襯(chen)(chen)底原子尺度(du)拋得(de)光(guang)(guang)、納米(mi)尺度(du)拋得(de)平、微米(mi)尺度(du)拋得(de)快的(de)高(gao)質(zhi)高(gao)效加工需求，研(yan)究電(dian)、光(guang)(guang)、聲(sheng)、等離子體等多(duo)場(chang)輔助化(hua)學機(ji)械原子級去除工藝，突(tu)破多(duo)場(chang)輔助協(xie)同調(diao)控(kong)、超低壓(ya)力分區加壓(ya)、測(ce)量反饋智能控(kong)制等關鍵(jian)技術，開發(fa)多(duo)場(chang)輔助化(hua)學機(ji)械拋光(guang)(guang)裝備，實現(xian)原子級精度(du)拋光(guang)(guang)，滿足半(ban)導體襯(chen)(chen)底應用需求。

      預(yu)期目標：到(dao)2026年(nian)，研制模(mo)塊化的(de)多場輔助化學機(ji)械原子級拋光(guang)裝備，可以集(ji)成電、光(guang)、聲(sheng)、等離子體等多場，拋光(guang)壓(ya)力調(diao)控精(jing)度0.1psi，拋光(guang)壓(ya)力分區數量6個，利用該設備對單晶硅(gui)襯底進(jin)行拋光(guang)，表(biao)面起伏小(xiao)于10個原子層，滿足先進(jin)制程需求(qiu)。

      （二）高效團簇離子束原子級拋光裝備的研發及在大徑厚比金剛石光學窗口的加工應用

      揭榜任務(wu)：面(mian)向高功率激(ji)光系統、中(zhong)長波紅外探測器等對原(yuan)子(zi)(zi)級(ji)表面(mian)精度的金剛石(shi)(shi)窗(chuang)口需求，突破氣體原(yuan)子(zi)(zi)團(tuan)簇(cu)(cu)束(shu)流中(zhong)和關鍵技術，建立原(yuan)子(zi)(zi)級(ji)超(chao)光滑金剛石(shi)(shi)表面(mian)制(zhi)造方法，研制(zhi)超(chao)硬(ying)金剛石(shi)(shi)團(tuan)簇(cu)(cu)離子(zi)(zi)束(shu)原(yuan)子(zi)(zi)級(ji)拋(pao)光裝備，實現大徑厚比金剛石(shi)(shi)光學(xue)窗(chuang)口的原(yuan)子(zi)(zi)級(ji)制(zhi)造，并應(ying)用驗(yan)證。

      預期目標：到2026年(nian)，高性能(neng)、低成(cheng)本的(de)束(shu)流中(zhong)和(he)器自主可(ke)控(kong)，具有較高的(de)中(zhong)和(he)效(xiao)(xiao)率(lv)，對Ar100團(tuan)(tuan)(tuan)簇中(zhong)和(he)效(xiao)(xiao)率(lv)>50%，研(yan)制(zhi)金(jin)剛石(shi)材料團(tuan)(tuan)(tuan)簇離子(zi)(zi)束(shu)原子(zi)(zi)級拋光(guang)裝備，建立金(jin)剛石(shi)光(guang)學(xue)(xue)窗(chuang)口(kou)(kou)納(na)米級精(jing)度及(ji)原子(zi)(zi)級表(biao)面(mian)(mian)質量制(zhi)造工藝，加工金(jin)剛石(shi)光(guang)學(xue)(xue)窗(chuang)口(kou)(kou)直(zhi)徑≥75mm、徑厚比≥100、表(biao)面(mian)(mian)面(mian)(mian)形精(jing)度PV≤λ/4、表(biao)面(mian)(mian)粗糙度Ra≤1nm，設(she)備支持Ar/SF6等(deng)多種氣體團(tuan)(tuan)(tuan)簇離子(zi)(zi)束(shu)、束(shu)流強度≥100μA、團(tuan)(tuan)(tuan)簇束(shu)斑(ban)直(zhi)徑0.5-10mm可(ke)調、團(tuan)(tuan)(tuan)簇離子(zi)(zi)能(neng)量≥60keV，能(neng)夠(gou)支撐3英寸級金(jin)剛石(shi)光(guang)學(xue)(xue)窗(chuang)口(kou)(kou)原子(zi)(zi)級可(ke)控(kong)制(zhi)造。